IGBT應用案例_讓IGBT跑的更快

      IGBT關斷損耗大;拖尾是嚴重制約高頻運用的攔路虎。

  這問題由兩方面構成:

  1)IGBT的主導器件—GTR的基區儲存電荷問題。

  2)柵寄生電阻和柵驅動電荷;構成了RC延遲網絡,造成IGBT延遲開和關。

  這里;首先討論原因一的解決方法。解決電路見圖(1)

     圖(1)

  IGBT的GTR是利用基區N型半導體,在開通時;通過施加基極電流,使之轉成P型,將原來的PNP型阻擋區變為P-P-P通路。為保證可靠導通;GTR是過度開通的完全飽和模式。

  所謂基區儲存效應造成的拖尾;是由于GTR過度飽和,基區N過度轉換成P型。在關斷時;由于P型半導體需要復合成本征甚至N型,這一過程造成了器件的拖尾。

    圖(2)

  該電路采用準飽和驅動方式;讓IGBT工作在準飽和模式下。IGBT預進入飽和;驅動電壓就會被DC拉低;使之退出飽和狀態;反之IGBT驅動電壓上升,VCE下降;接近飽和。對于標準IGBT;這電路可以保證,IGBT的導通壓降基本維持在3.5V水平,即IGBT工作在準線性區。這樣IGBT的GTR的基極就不會被過驅動,在關斷時;幾乎沒有復合過程。這樣器件的拖尾問題就幾乎解決了!現在;唯一存在的問題是IGBT的通態壓降略高。

  這種方式;已經在邏輯IC里盛行?,F在的超高速邏輯電路都是這結構。包括你電腦中的CPU!

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